Iarratas Quote
paramters Táirge
- VGS (ú) (Max) @ Id
- 4.5V @ 250µA
- VGS (Uasmhéid)
- ±20V
- teicneolaíocht
- MOSFET (Metal Oxide)
- Soláthraí Pacáiste Gléas
- TO-220
- Sraith
- DeepGATE™, STripFET™ VII
- Rds On (Max) @ Id, VGS
- 10 mOhm @ 40A, 10V
- Power dhiomailt (Max)
- 110W (Tc)
- Pacáistiú
- Tube
- Pacáiste / Cás
- TO-220-3
- Ainmneacha eile
- 497-14834-5
STP80N10F7-ND
- Teocht Oibriúcháin
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- gléasta Cineál
- Through Hole
- Taise Íogaireacht Leibhéal (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Monaróir caighdeánach Luaidhe
- 38 Weeks
- Stádas Saor in Aisce / Stádas RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Ionchur toilleas (SFSanna) (Uasmhéid) @ VDS
- 3100pF @ 50V
- Geata Muirear (QG) (Uasmhéid) @ VGS
- 45nC @ 10V
- Cineál FET
- N-Channel
- FET Gné
- -
- Drive Voltage (Max Rds Ar, Min Rds On)
- 10V
- Taosc le Foinse Voltage (RDS)
- 100V
- Cur síos Mionsonraithe
- N-Channel 100V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
- Atá ann faoi láthair - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C
- 80A (Tc)
Products chineál céanna
- STMicroelectronics STP80N10F7
- Bileog sonraí STP80N10F7
- Bileog sonraí STP80N10F7
- Bileog sonraí STP80N10F7 pdf
- Íoslódáil bileog sonraí STP80N10F7
- Íomhá STP80N10F7
- Cuid STP80N10F7
- ST STP80N10F7
- STMicroelectronics STP80N10F7